【摘要】ZnSe是Ⅱ-Ⅵ族半导体材料中一种非常重要的宽禁带半导体材料，它具有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构，本文利用第一性原理计算了闪锌矿结构ZnSe晶体的晶格常数、电子态密度分布、能带结构，计算得到ZnSe的晶格常数为5.74埃，比实验结果偏大1.2%（实验结果为5.67埃），从电子结构性质可以看出ZnSe是直隙半导体，带隙为2.5eV与实验结果符合得很好。.本文还计算了V掺杂ZnSe的结构与性质，发现V替位掺杂Zn形成缺陷后，ZnSe的几何结构没有发生明显的变化，但是V掺杂后的ZnSe表现出了铁磁性，通过系统电子态密度的计算发现，V的3d电子是系统表现出磁性的原因。

关键词：ZnSe，闪锌矿结构，第一性原理，电子结构，V掺杂

目录

摘要

Abstract

1.引言-1

2.计算细节-2

3. ZnSe第一性原理计算结果分析-2

3.1晶体结构-3

3.2电子结构-4

3.2.1能态密度-4

3.2.2能带结构-4

3.3本章总结-5

4.ZnSe 掺 V的第一性原理计算和结果分析-5

4.1掺杂后能态密度-5

4.2.掺杂V的能态密度-6

4.3本章总结-7

5. 总结-7

参考文献-8

致谢-9