[摘要]  宽禁带II一VI族半导体ZnS是一种新型的发光材料,由于它具有热红外透明性、磷光和荧光等较为独特的光物理特性,所以在光致发光和电致发光器件、红外探测器、太阳能电池和激光器等领域的用途上发挥重要作用。纯ZnS材料自身存在着一些不足,阻碍了对它的进一步应用研究,所以,对ZnS作适当的掺杂,改进ZnS的结构性能与光学性能,在目前国内外光、电学领域的应用有着巨大的前景。对ZnS及掺杂后晶体的光学性质和电子结构在运用第一性原理基础上进行计算机模拟,利用相应的计算结果可以对ZnS材料的各种物理性质作出一定预测。有了以上的模拟结果，实验及材料的生长合成又多了一些合理的理论依据。

关键词:第一性原理;ZnS;掺杂;电子结构

目录

摘要

Abstract

1. 引言-1

2. ZnS的第一性原理计算和结果分析-2

2.1计算细节-2

2.2结果分析-2

2.3本章总结-5

3. ZnS掺 V的第一性原理计算和结果分析-6

3.1计算细节-6

3.2计算结果分析-6

3.3本章总结-7

4. 总结-8

参考文献-9

致  谢-10